今日排行

本周排行

本月排行

普林太托KF 420*594
杭華油墨UV161 紅色S
東麗版材 WF95DY3
杭華紫外光固化油墨

膠印油墨

膠印材料

絲印材料

凸版印刷構建22/20nmArF掩模生產線

2010-09-17 08:58 來源：日經BP社責編：Victoria

摘要：: 運用此次的掩模技術有望緩解掩模設計中的限制以及提高晶圓處理工序的生產效率，“不僅可以提高掩模自身性能，而且可以通過與晶圓處理工序中轉印時的優點形成的組合效果，實現優異的總體光刻解決方案”（凸版印刷）。

更多精彩資訊>>

小C專訪｜正博總經理范

小C專訪·煒岡股份董事

　　 【CPP114】訊：凸版印刷宣布已經建立了面向22nm及20nm工藝的ArF掩模供應體制。在該公司的朝霞光掩模工廠內，構建了22nm/20nm用的ArF掩模生產線，提供給半導體廠家的試制及量產用途。該技術是與美國IBM聯合開發的。

　　此次開發的掩模技術工藝為了使用ArF曝光技術來支持20nm工藝，主要采用了以下三項掩模技術。第一，開發出了可支持ArF曝光微細工藝所需的二次圖形（DP）和SMO（Source Mask Optimization）掩模技術。第二，導入名為薄膜OMOG（opaque MoSi on glass）的新型掩模材料，提高了微細圖案的分辨率、尺寸的均勻性和掩模的平坦度，降低了工藝造成的位置精度劣化，提高了掩模耐清洗性等。第三，減小了掩模的厚度。隨著工藝的微細化，電磁場偏置（electromagnetic field bias）等起因于掩模厚度的影響逐漸顯現。此次通過減薄薄膜厚度，減小了這些不良影響。

　　運用此次的掩模技術有望緩解掩模設計中的限制以及提高晶圓處理工序的生產效率，“不僅可以提高掩模自身性能，而且可以通過與晶圓處理工序中轉印時的優點形成的組合效果，實現優異的總體光刻解決方案”（凸版印刷）。該技術的具體細節預定在掩模相關國際會議“2010 SPIE Photomask Technology Conference”（9月13～16日，美國蒙特里）上發布。

　　【點擊查看更多精彩內容】

　　相關新聞：

　　凸版印刷試制超耐熱IC玻璃標簽
　　大日本印刷與凸版印刷成立電子出版制作及流通協會
　　凸版印刷增“超臨場感視覺研究室”
　　凸版印刷等4家公司將聯手開展電子書業務

分享到：下一篇：牌匾的噴墨轉移印花技巧